Nach einer Einführung in die Anwendungsgebiete, die Historie von Leistungshalbleiterbauelementen und die relevante Halbleiterphysik, werden die heute für kommerzielle Anwendungen relevanten Ausführungsformen von monolithisch integrierten Leistungsbauelemente besprochen. Zunächst werden Bipolarleistungsdioden und Schottkydioden als gleichrichtende Bauelemente vorgestellt. Anschließend werden der Aufbau und die Funktion von Bipolartransistoren, Thyristoren, unipolaren Leistungstransistoren (MOSFETs) und IGBTs erörtert. Dabei wird neben statischen Kenngrößen auch auf Schaltvorgänge und Schaltverluste eingegangen sowie die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente diskutiert.
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Wintersemester 2024/2025
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2024-10-21 14:24:14
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# 1Nur für PortalHalbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente Übung (HL III - LBE) 2024/2025Julian Schwarz2024-10-22 Wintersemester 2024/20251Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente Übung (HL III - LBE) 2024/2025Julian Schwarz2024-10-22 Wintersemester 2024/2025Nur für PortalGesperrt clip
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