15 - Sensing in SiC devices using silicon vacancy created by particle beam writing technique [ID:49106]
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Presenters

Dr. Takeshi Ohshima Dr. Takeshi Ohshima

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Dauer

00:40:23 Min

Aufnahmedatum

2023-09-15

Hochgeladen am

2023-09-18 13:24:27

Sprache

en-US

Tags

Symposium Silicon carbide Chair of Applied Physics Lehrstuhl für Angewandte Physik Anniversary