15 - Sensing in SiC devices using silicon vacancy created by particle beam writing technique [ID:49106]
Teil einer Videoserie :
Presenters
Dr. Takeshi Ohshima
Zugänglich über
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Gesperrt clipDauer
00:40:23 Min
Aufnahmedatum
2023-09-15
Hochgeladen am
2023-09-18 13:24:27
Sprache
en-US
Tags
Symposium
Silicon carbide
Chair of Applied Physics
Lehrstuhl für Angewandte Physik
Anniversary