Technologie integrierter Schaltungen 2020/2021 /CourseID:1677

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Organisational Unit

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Recording type

Vorlesungsreihe

Language

German

Thema der Vorlesung sind die wesentlichen Technologieschritte zur Herstellung elektronischer Halbleiterbauelemente und integrierter Schaltungen. Der erste Teil der Vorlesung beginnt mit der Herstellung von einkristallinen Siliciumkristallen. Anschließend werden die physikalischen Grundlagen der Oxidation, der Dotierungsverfahren Diffusion und Ionenimplantation sowie der chemischen Gasphasenabscheidung von dünnen Schichten behandelt. Ergänzend dazu werden Ausschnitte aus Prozessabläufen, wie sie heute bei der Herstellung von hochintegrierten Schaltungen wie Mikroprozessoren oder Speicher verwendet werden, dargestellt und anhand von Bauelementen (Kondensator, Diode und Transistor) wichtige Prozessparameter und Bauelementeeigenschaften erläutert.

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Episode
Title
Lecturer
Updated
Via
Duration
Media
1
Einleitung
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-06
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01:55:52
2
Kristallzucht
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-13
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02:21:24
3
Reinraum + Reinigung
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-20
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02:07:11
4
Oxidation
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-27
IdM-login / Passwort
02:29:09
5
Diffusion
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-04
IdM-login / Passwort
02:19:20
6
Ionenimplantation
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-11
IdM-login / Passwort
02:31:34
7
Chemische Gasphasenabscheidung
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-18
IdM-login / Passwort
02:20:34
8
Physikalische Schichtabscheidung
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-08
IdM-login / Passwort
02:07:31
9
Lithographie
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-15
IdM-login / Passwort
02:18:29
10
Ätztechnik
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-22
IdM-login / Passwort
01:47:53
11
Planarisierung + Beispiel: CMOS-Prozess
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-29
IdM-login / Passwort
01:33:57

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