In dieser Vorlesung werden die gängigen Leistungshalbleiterbauelemente (Power-pin-Diode, BJT, DMOS, IGBT, Thyristor und GaN-HEMT) behandelt, sowie die Temperaturabhängigkeiten der wichtigen physikalischen Größen im Festkörper erklärt. Zu den Bauteilen werden sowohl die statischen, als auch die dynamischen elektrischen Charakteristika diskutiert. Darüber hinaus werden die Herstellungsmethodiken für einkristalline Wide-Bandgap-Halbleitersubstrate beleuchtet.