Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente Übung (HL III - LBE) Übung /CoursesID:2860
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Lecturer

Julian Schwarz

Organisational Unit

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Recording type

Übung / Tafelübung

Language

German

Nach einer Einführung in die Anwendungsgebiete, die Historie von Leistungshalbleiterbauelementen und die relevante Halbleiterphysik, werden die heute für kommerzielle Anwendungen relevanten Ausführungsformen von monolithisch integrierten Leistungsbauelemente besprochen. Zunächst werden Bipolarleistungsdioden und Schottkydioden als gleichrichtende Bauelemente vorgestellt. Anschließend werden der Aufbau und die Funktion von Bipolartransistoren, Thyristoren, unipolaren Leistungstransistoren (MOSFETs) und IGBTs erörtert. Dabei wird neben statischen Kenngrößen auch auf Schaltvorgänge und Schaltverluste eingegangen sowie die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente diskutiert. 

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Title
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Halbleiterrelevante Festkörperphysik I - Drift und Diffusion
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Halbleiterrelevante Festkörperphysik - pn-Übergang thermodynamisches Gleichgewicht
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01:39:52
8
Thyristoren - Vertretungsstunde
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Thyristoren - Flussbetrieb, Einschaltvorgang und GTO Anfang
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Thyristoren - GTO Ende // VDMOS - Sperrbetrieb & Flussbetrieb
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2022-01-22
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11
VDMOS - Flussbetrieb & Einschaltvorgang
Julian Schwarz
2022-01-28
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IGBT - Sperrbetrieb
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2022-02-07
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13
IGBT - Flussbetrieb, Latch-Up und Ausschaltvorgang
Julian Schwarz
2022-02-09
Studon
01:00:33
14
Wiederholung des Klausurstoffs
Julian Schwarz
2022-02-11
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