Vorlesung an, guten Tag zur Vorlesung am 31.10.

Wir haben ja letztes Mal kennengelernt,

wie sich die Raumladungszone in PN-Strukturen ausbreitet

beziehungsweise auch was eine

sogenannte PIN-Struktur ist

die man dafür einsetzen kann

um besonders hohe Spannungen

aufzunehmen.

Hier fehlt jetzt irgendwie der Präsenter.

Jetzt komme ich gerade nicht weiter.

Den bräuchte ich natürlich, um die Folien weiter zu blättern.

Liegt jetzt hier nirgends.

Liegt ja bei.

Von innen hat den auch keiner gesehen, oder?

Hat den jemand eingesteckt?

Schwierig.

Ist das ein neuer?

Nee, auch nicht.

Das ist irgendwas, was den Beamer steuert.

Ja,

schwierig. Dann muss ich das per Hand weiter blättern. Okay, dann werde ich das tun.

Ja, wir werden also im Allgemeinen über Leistungsdioden reden.

Es gibt Leistungsdioden

auf Basis dieser PN-Übergänge, wie wir das schon angesprochen haben. Die sind natürlich

relativ aufwendig in der Herstellung

weil man bei den PN-Leistungsdioden ein hoch dotiertes

P-Gebiet braucht

dann in der Regel ein niedrig dotiertes N-Gebiet und dann das Ganze auf einem

Substrat aufbaut, was in der Regel auch hoch N-dotiert ist.

Wenn man sich sparen kann, oben diese

hoch dotierten P-Gebiete dann P-Plus-Gebiete dann noch herzustellen

kann man das auch mit einem

Metallhalbblätterkontakt realisieren.

Sie haben diese Folie nicht auf Studun.

Kapitel 1, ja okay.

Dann geben Sie mir eine Sekunde, dann lege ich die drauf.

Ich dachte

ich hätte die letztes Mal schon drauf gelegt.

Okay, dann werde ich das schnell machen.

Entschuldigung.

Also ich unterbreche nochmal kurz

weil die Folien nicht auf Studun liegen und ich eine

PDF mache und die hoch lade, damit man mitschreiben kann.

Ich halte mal die Aufzeichnung so lange an.

Okay

die Folien wurden jetzt noch schnell hochgeladen

stehen damit für die Leute im

Raum zur Verfügung.

Ja, ich habe gesprochen über die Schottkedioden, die hat statt des

P-Plus-Gebietes einen Metallkontakt haben.