Inhalt

• Eigenschaften von Quantentöpfen, -drähten und -punkten

• elektronische und mechanische Eigenschaften von Silizium-Germanium-Heterostrukturen

• Einfluss der elastischen Verspannungen auf die Bandstruktur

• Technologische Realisierung von Potentialbarrieren, „Quantum Wells" und Quantentöpfen

• Funktionsweise von Siliziumbasierten Hetero- und Quantenbauelementen (Tunnel-FET, Heterofeldeffekttransistoren, SET, Heterobipolartransistor, MODFET)

• Laser und VCSEL

Lernziele und Kompetenzen:

Die Studierenden besitzen die Kenntnis und das Verständnis quantenmechanischer Effekte in klassischen Halbleiterbauelementen, kennen und verstehen quantenmechanische Bauelemente, die gezielt auf diesen Effekten beruhen und besitzen die Fähigkeit, neue Bauelemente zu entwerfen und zu dimensionieren.

Literatur:

• Kasper, Paul: Silicon Quantum Integrated Circuits, Springer, 2005

• Harrison: Quantum Wells, Wires and Dots, Wiley, 2000

• Maiti, Armstrong: TCAD for Si, SiGe, GaAs Integrated Circuits, Francis and Taylor, 2008

• Schulze: Konzepte Silizium-basierter MOS-Bauelemente, Springer, 2005