Halbleitertechnik III - Leistungshalbleiterbauelemente (HL III - LBE) Vorlesung 2020/2021 /KursID:1675
- Letzter Beitrag vom 2021-02-11
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Einrichtung

Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

Aufzeichnungsart

Vorlesungsreihe

Zugang

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Sprache

Deutsch

Nach einer Einführung in die Anwendungsgebiete, die Historie von Leistungshalbleiterbauelementen und die relevante Halbleiterphysik, werden die heute für kommerzielle Anwendungen relevanten Ausführungsformen von monolithisch integrierten Leistungsbauelemente besprochen. Zunächst werden Bipolarleistungsdioden und Schottkydioden als gleichrichtende Bauelemente vorgestellt. Anschließend werden der Aufbau und die Funktion von Bipolartransistoren, Thyristoren, unipolaren Leistungstransistoren (MOSFETs) und IGBTs erörtert. Dabei wird neben statischen Kenngrößen auch auf Schaltvorgänge und Schaltverluste eingegangen sowie die physikalischen Grenzen dieser Bauelemente diskutiert. Nach einer Vorstellung von in Logikschaltungen integrierter Leistungsbauelemente (Smart-Power ICs) erfolgt abschlie-ßend die Diskussion von neuartigen Bauelementkonzepten auf Siliciumkarbid und Galliumnitrid, welche immer stärker an Bedeutung gewinnen.

Zugehörige Einzelbeiträge

Folge
Titel
Lehrende(r)
Aktualisiert
Zugang
Dauer
Medien
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HL III - Einleitung
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-05
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01:38:08
2
HL III - Halbleiterrelevante Festkörperphysik Teil 1
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-12
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:23:57
3
HL III - Halbleiterrelevante Festkörperphysik Teil 2
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-19
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01:21:41
4
HL III - Bipolare Leistungsdioden Teil 1
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-11-26
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01:14:58
5
HL III - Bipolare Leistungsdioden Teil 2 & Unipolare Leistungsdioden
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-03
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:32:30
6
HL III - Randabschlusskonzepte
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-10
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:12:35
7
HL III - Bipolare Leistungstransistoren
PD Dr. Tobias Erlbacher
2020-12-17
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:27:31
8
HL III - Thyristoren
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-07
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:31:05
9
HL III - Leistungs-MOSFETs Teil 1
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-14
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:17:14
10
HL III - Leistungs-MOSFETs Teil 2
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-21
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:18:54
11
HL III - Insulated Gate Bipolar Transistoren
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-01-28
IdM-Anmeldung / Passwort / Studon
01:13:35
12
HL III - Ladungskompensation und HochVolt-ICs
PD Dr. Tobias Erlbacher
2021-02-04
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13
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